cl是什么，cl是什么元素

氯元素， cl2是氯氣

cl是clannad動(dòng)漫。CL在動(dòng)漫里的意思是指CLANNAD,CLANNAD是一款動(dòng)漫游戲。CLANNAD是日本游戲品牌Key繼Kanon、AIR后發(fā)行的第三款戀愛冒險(xiǎn)游戲，游戲于2004年4月28日發(fā)行PC初回限定版，依此為原作改編或擴(kuò)充跨媒體制作的作品。CL全稱clannad，2007年由京都動(dòng)畫根據(jù)key社的galgame同名游戲改編，故事講述不良少年男主朋也對(duì)生活和未來充滿了失望的他在櫻花坂道上遇見了改變其一生的女主，從此他的生活充滿了色彩的故事。動(dòng)漫產(chǎn)業(yè)的概述動(dòng)漫產(chǎn)業(yè)，是指以創(chuàng)意為核心，以動(dòng)畫、漫畫為主要表現(xiàn)形式，包含動(dòng)畫片、漫畫書、報(bào)刊、電影、電視、音像制品、舞臺(tái)劇和基于現(xiàn)代信息傳播技術(shù)手段的動(dòng)漫新品種等動(dòng)漫直接產(chǎn)品的開發(fā)、生產(chǎn)、出版、播出、演出和銷售。以及與動(dòng)漫形象有關(guān)的服裝、玩具、電子游戲等衍生產(chǎn)品的生產(chǎn)和經(jīng)營(yíng)的產(chǎn)業(yè)，因?yàn)橛兄鴱V泛的發(fā)展前景，動(dòng)漫產(chǎn)業(yè)被稱為新興的朝陽產(chǎn)業(yè)。

氯是一種鹵族化學(xué)元素，化學(xué)符號(hào)為Cl，原子序數(shù)為17，英文名：Chlorine（Cl）。氯常溫常壓下為黃綠色氣體。

氯元素

1個(gè)氯原子，氯元素

氯

録元素

這是氯的化學(xué)符號(hào)

宏觀，氯元素

如果題目只是問“cl-1-”表示什么，只寫表示“氯離子”就可以

[編輯本段]單詞縮寫 1. milliliter 毫升，計(jì)量單位。 進(jìn)率：1L=1立方分米 = 0.001立方米 1ml=1立方厘米 = 0.000001立方米 ml 與 L 之間是1000進(jìn)率，立方米，立方分米，立方厘米之間也是1000進(jìn)率。 2. ml 是中國(guó)大陸人創(chuàng)造發(fā)明英文"make love" 的縮寫，中文就是做愛的意思。有些無知的人，認(rèn)為這樣寫比較"含蓄"。他們卻不知道在中國(guó)古代，早已有一些含蓄的詞匯來表達(dá)同樣的意思。例如： 房事，云雨一番，同房，等。顯示出，現(xiàn)代中國(guó)人對(duì)自己國(guó)家的古代文化的缺乏

若制

CL是一種化學(xué)元素氯，是一種非金屬元素。CL是一種化學(xué)元素氯，是一種非金屬元素。氯氣常溫常壓下為黃綠色氣體，化學(xué)性質(zhì)十分活潑，具有毒性。氯氣中毒特征和反應(yīng)：(1)氯氣刺激反應(yīng):出現(xiàn)一過性的眼及上呼吸道刺激癥狀; (2)輕度中毒:主要表現(xiàn)為支氣管炎和支氣管周圍炎，有咳嗽，，兩肺有干羅音或哮鳴音，可有少量濕羅音; (3)中度中毒:主要表現(xiàn)為支氣管肺炎、間質(zhì)性肺水腫或局限的肺泡性肺水腫?？人?、咳痰、氣短、胸悶或胸痛，可有輕度發(fā)紺，兩肺有干性或濕性羅音; (4)重度中毒:臨床上表現(xiàn)為①咳嗽、咯大量白色或粉紅色泡沫痰，呼吸困難，胸部緊束感，明顯發(fā)紺，兩肺有彌漫性濕羅音;②嚴(yán)重窒息;③中、重度昏迷;④卒死;⑤出現(xiàn)嚴(yán)重并發(fā)癥，如氣胸、縱隔氣腫等。

氯

很多種意思看你指的什么領(lǐng)域的了首先 是氯的化學(xué)符號(hào)然后 是某論壇的縮寫如果你指的是某論壇5狗肉館9熔透焊1讓她見浩特m好大夫n獲得豐厚的每行第一個(gè)數(shù)字和字母自己加 點(diǎn)考姆這個(gè)你上不去的話用什么都不好使

cl是cas latency的縮寫，指的是cpu在接到讀取某列內(nèi)存地址上數(shù)據(jù)的指令后到實(shí)際開始讀出數(shù)據(jù)所需的等待時(shí)間，cl=2指等待時(shí)間為2個(gè)cpu時(shí)鐘周期，而cl=3則為3個(gè)cpu時(shí)鐘周期。對(duì)今天的高速cpu而言，1個(gè)時(shí)鐘周期的長(zhǎng)度微乎其微。因此不論cl=2還是cl=3的內(nèi)存，用戶在實(shí)際使用中幾乎是感覺不到性能差距的。而廠家在生產(chǎn)內(nèi)存條時(shí)，不論cl=2還是cl=3，用的都是同樣的原料和設(shè)備。只是在生產(chǎn)完成后檢測(cè)時(shí)，挑出精度高的當(dāng)cl=2的賣，精度相對(duì)低一些的則當(dāng)cl=3的賣。實(shí)際上有不少被當(dāng)作cl=3賣的內(nèi)存條也可以在cl=2下工作。

CL（CAS Latency）：為CAS的延遲時(shí)間，這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一?！　? 內(nèi)存負(fù)責(zé)向CPU提供運(yùn)算所需的原始數(shù)據(jù)，而目前CPU運(yùn)行速度超過內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速度很多，因此很多情況下CPU都需要等待內(nèi)存提供數(shù)據(jù)，這就是常說的“CPU等待時(shí)間”。內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣仍铰?，CPU等待時(shí)間就會(huì)越長(zhǎng)，系統(tǒng)整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內(nèi)存是有效提升CPU效率和整機(jī)性能的關(guān)鍵之一。 　　在實(shí)際工作時(shí)，無論什么類型的內(nèi)存，在數(shù)據(jù)被傳輸之前，傳送方必須花費(fèi)一定時(shí)間去等待傳輸請(qǐng)求的響應(yīng)，通俗點(diǎn)說就是傳輸前傳輸雙方必須要進(jìn)行必要的通信，而這種就會(huì)造成傳輸?shù)囊欢ㄑ舆t時(shí)間。CL設(shè)置一定程度上反映出了該內(nèi)存在CPU接到讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)的指令后，到正式開始讀取數(shù)據(jù)所需的等待時(shí)間。不難看出同頻率的內(nèi)存，CL設(shè)置低的更具有速度優(yōu)勢(shì)。 　　上面只是給大家建立一個(gè)基本的CL概念，而實(shí)際上內(nèi)存延遲的基本因素絕對(duì)不止這些。內(nèi)存延遲時(shí)間有個(gè)專門的術(shù)語叫“Latency”。要形象的了解延遲，我們不妨把內(nèi)存當(dāng)成一個(gè)存儲(chǔ)著數(shù)據(jù)的數(shù)組，或者一個(gè)EXCEL表格，要確定每個(gè)數(shù)據(jù)的位置，每個(gè)數(shù)據(jù)都是以行和列編排序號(hào)來標(biāo)示，在確定了行、列序號(hào)之后該數(shù)據(jù)就唯一了。內(nèi)存工作時(shí)，在要讀取或?qū)懭肽硵?shù)據(jù)，內(nèi)存控制芯片會(huì)先把數(shù)據(jù)的列地址傳送過去，這個(gè)RAS信號(hào)（Row Address Strobe，行地址信號(hào)）就被激活，而在轉(zhuǎn)化到行數(shù)據(jù)前，需要經(jīng)過幾個(gè)執(zhí)行周期，然后接下來CAS信號(hào)（Column Address Strobe，列地址信號(hào)）被激活。在RAS信號(hào)和CAS信號(hào)之間的幾個(gè)執(zhí)行周期就是RAS-to-CAS延遲時(shí)間。在CAS信號(hào)被執(zhí)行之后同樣也需要幾個(gè)執(zhí)行周期。此執(zhí)行周期在使用標(biāo)準(zhǔn)PC133的SDRAM大約是2到3個(gè)周期；而DDR RAM則是4到5個(gè)周期。在DDR中，真正的CAS延遲時(shí)間則是2到2.5個(gè)執(zhí)行周期。RAS-to-CAS的時(shí)間則視技術(shù)而定，大約是5到7個(gè)周期，這也是延遲的基本因素。 　　CL設(shè)置較低的內(nèi)存具備更高的優(yōu)勢(shì)，這可以從總的延遲時(shí)間來表現(xiàn)。內(nèi)存總的延遲時(shí)間有一個(gè)計(jì)算公式，總延遲時(shí)間=系統(tǒng)時(shí)鐘周期×CL模式數(shù)+存取時(shí)間（tAC）。首先來了解一下存取時(shí)間（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的縮寫，是指最大CAS延遲時(shí)的最大數(shù)輸入時(shí)鐘，是以納秒為單位的，與內(nèi)存時(shí)鐘周期是完全不同的概念，雖然都是以納秒為單位。存取時(shí)間（tAC）代表著讀取、寫入的時(shí)間，而時(shí)鐘頻率則代表內(nèi)存的速度。 　　舉個(gè)例子來計(jì)算一下總延遲時(shí)間，比如一條DDR333內(nèi)存其存取時(shí)間為6ns，而其內(nèi)存時(shí)鐘周期為6ns（DDR內(nèi)存時(shí)鐘周期＝1X2/內(nèi)存頻率，DDR400內(nèi)存頻率為400，則可計(jì)算出其時(shí)鐘周期為6ns）。我們?cè)谥靼宓腂IOS中將其CL設(shè)置為2.5，則總的延遲時(shí)間＝6ns X2.5＋6ns＝21ns，而如果CL設(shè)置為2，那么總的延遲時(shí)間＝6ns X2＋6ns＝18 ns，就減少了3ns的時(shí)間。 　　從總的延遲時(shí)間來看，CL值的大小起到了很關(guān)鍵的作用。所以對(duì)系統(tǒng)要求高和喜歡超頻的用戶通常喜歡購(gòu)買CL值較低的內(nèi)存。目前各內(nèi)存顆粒廠商除了從提高內(nèi)存時(shí)鐘頻率來提高DDR的性能之外，已經(jīng)考慮通過更進(jìn)一步的降低CAS延遲時(shí)間來提高內(nèi)存性能。 　　不過，并不是說CL值越低性能就越好，因?yàn)槠渌囊蛩貢?huì)影響這個(gè)數(shù)據(jù)。例如，新一代處理器的高速緩存較有效率，這表示處理器比較少地直接從內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)。再者，列的數(shù)據(jù)會(huì)比較常被存取，所以RAS-to-CAS的發(fā)生幾率也大，讀取的時(shí)間也會(huì)增多。最后，有時(shí)會(huì)發(fā)生同時(shí)讀取大量數(shù)據(jù)的情形，在這種情形下，相鄰的內(nèi)存數(shù)據(jù)會(huì)一次被讀取出來，CAS延遲時(shí)間只會(huì)發(fā)生一次。 　　選擇購(gòu)買內(nèi)存時(shí)，最好選擇同樣CL設(shè)置的內(nèi)存，因?yàn)椴煌俣鹊膬?nèi)存混插在系統(tǒng)內(nèi)，系統(tǒng)會(huì)以較慢的速度來運(yùn)行，也就是當(dāng)CL2.5和CL2的內(nèi)存同時(shí)插在主機(jī)內(nèi)，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)讓兩條內(nèi)存都工作在CL2.5狀態(tài)，造成資源浪費(fèi)。

魔獸里面 CL 是 甲蟲,一個(gè)英雄

內(nèi)存負(fù)責(zé)向CPU提供運(yùn)算所需的原始數(shù)據(jù)，而目前CPU運(yùn)行速度超過內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速度很多，因此很多情況下CPU都需要等待內(nèi)存提供數(shù)據(jù)，這就是常說的“CPU等待時(shí)間”。內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣仍铰?，CPU等待時(shí)間就會(huì)越長(zhǎng)，系統(tǒng)整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內(nèi)存是有效提升CPU效率和整機(jī)性能的關(guān)鍵之一。 在實(shí)際工作時(shí)，無論什么類型的內(nèi)存，在數(shù)據(jù)被傳輸之前，傳送方必須花費(fèi)一定時(shí)間去等待傳輸請(qǐng)求的響應(yīng)，通俗點(diǎn)說就是傳輸前傳輸雙方必須要進(jìn)行必要的通信，而這種就會(huì)造成傳輸?shù)囊欢ㄑ舆t時(shí)間。CL設(shè)置一定程度上反映出了該內(nèi)存在CPU接到讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)的指令后，到正式開始讀取數(shù)據(jù)所需的等待時(shí)間。不難看出同頻率的內(nèi)存，CL設(shè)置低的更具有速度優(yōu)勢(shì)。 上面只是給大家建立一個(gè)基本的CL概念，而實(shí)際上內(nèi)存延遲的基本因素絕對(duì)不止這些。內(nèi)存延遲時(shí)間有個(gè)專門的術(shù)語叫“Latency”。要形象的了解延遲，我們不妨把內(nèi)存當(dāng)成一個(gè)存儲(chǔ)著數(shù)據(jù)的數(shù)組，或者一個(gè)EXCEL表格，要確定每個(gè)數(shù)據(jù)的位置，每個(gè)數(shù)據(jù)都是以行和列編排序號(hào)來標(biāo)示，在確定了行、列序號(hào)之后該數(shù)據(jù)就唯一了。內(nèi)存工作時(shí)，在要讀取或?qū)懭肽硵?shù)據(jù)，內(nèi)存控制芯片會(huì)先把數(shù)據(jù)的列地址傳送過去，這個(gè)RAS信號(hào)（Row Address Strobe，行地址信號(hào)）就被激活，

內(nèi)存負(fù)責(zé)向CPU提供運(yùn)算所需的原始數(shù)據(jù)，而目前CPU運(yùn)行速度超過內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速度很多，因此很多情況下CPU都需要等待內(nèi)存提供數(shù)據(jù)，這就是常說的“CPU等待時(shí)間”。內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣仍铰?，CPU等待時(shí)間就會(huì)越長(zhǎng)，系統(tǒng)整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內(nèi)存是有效提升CPU效率和整機(jī)性能的關(guān)鍵之一。 在實(shí)際工作時(shí)，無論什么類型的內(nèi)存，在數(shù)據(jù)被傳輸之前，傳送方必須花費(fèi)一定時(shí)間去等待傳輸請(qǐng)求的響應(yīng)，通俗點(diǎn)說就是傳輸前傳輸雙方必須要進(jìn)行必要的通信，而這種就會(huì)造成傳輸?shù)囊欢ㄑ舆t時(shí)間。CL設(shè)置一定程度上反映出了該內(nèi)存在CPU接到讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)的指令后，到正式開始讀取數(shù)據(jù)所需的等待時(shí)間。不難看出同頻率的內(nèi)存，CL設(shè)置低的更具有速度優(yōu)勢(shì)。 上面只是給大家建立一個(gè)基本的CL概念，而實(shí)際上內(nèi)存延遲的基本因素絕對(duì)不止這些。內(nèi)存延遲時(shí)間有個(gè)專門的術(shù)語叫“Latency”。要形象的了解延遲，我們不妨把內(nèi)存當(dāng)成一個(gè)存儲(chǔ)著數(shù)據(jù)的數(shù)組，或者一個(gè)EXCEL表格，要確定每個(gè)數(shù)據(jù)的位置，每個(gè)數(shù)據(jù)都是以行和列編排序號(hào)來標(biāo)示，在確定了行、列序號(hào)之后該數(shù)據(jù)就唯一了。內(nèi)存工作時(shí)，在要讀取或?qū)懭肽硵?shù)據(jù)，內(nèi)存控制芯片會(huì)先把數(shù)據(jù)的列地址傳送過去，這個(gè)RAS信號(hào)（Row Address Strobe，行地址信號(hào)）就被激活，而在轉(zhuǎn)化到行數(shù)據(jù)前，需要經(jīng)過幾個(gè)執(zhí)行周期，然后接下來CAS信號(hào)（Column Address Strobe，列地址信號(hào)）被激活。在RAS信號(hào)和CAS信號(hào)之間的幾個(gè)執(zhí)行周期就是RAS-to-CAS延遲時(shí)間。在CAS信號(hào)被執(zhí)行之后同樣也需要幾個(gè)執(zhí)行周期。此執(zhí)行周期在使用標(biāo)準(zhǔn)PC133的SDRAM大約是2到3個(gè)周期；而DDR RAM則是4到5個(gè)周期。在DDR中，真正的CAS延遲時(shí)間則是2到2.5個(gè)執(zhí)行周期。RAS-to-CAS的時(shí)間則視技術(shù)而定，大約是5到7個(gè)周期，這也是延遲的基本因素。 CL設(shè)置較低的內(nèi)存具備更高的優(yōu)勢(shì)，這可以從總的延遲時(shí)間來表現(xiàn)。內(nèi)存總的延遲時(shí)間有一個(gè)計(jì)算公式，總延遲時(shí)間=系統(tǒng)時(shí)鐘周期×CL模式數(shù)+存取時(shí)間（tAC）。首先來了解一下存取時(shí)間（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的縮寫，是指最大CAS延遲時(shí)的最大數(shù)輸入時(shí)鐘，是以納秒為單位的，與內(nèi)存時(shí)鐘周期是完全不同的概念，雖然都是以納秒為單位。存取時(shí)間（tAC）代表著讀取、寫入的時(shí)間，而時(shí)鐘頻率則代表內(nèi)存的速度。 舉個(gè)例子來計(jì)算一下總延遲時(shí)間，比如一條DDR333內(nèi)存其存取時(shí)間為6ns，其內(nèi)存時(shí)鐘周期為6ns（DDR內(nèi)存時(shí)鐘周期＝1X2/內(nèi)存頻率，DDR333內(nèi)存頻率為333，則可計(jì)算出其時(shí)鐘周期為6ns）。我們?cè)谥靼宓腂IOS中將其CL設(shè)置為2.5，則總的延遲時(shí)間＝6ns X2.5＋6ns＝21ns，而如果CL設(shè)置為2，那么總的延遲時(shí)間＝6ns X2＋6ns＝18 ns，就減少了3ns的時(shí)間。 從總的延遲時(shí)間來看，CL值的大小起到了很關(guān)鍵的作用。所以對(duì)系統(tǒng)要求高和喜歡超頻的用戶通常喜歡購(gòu)買CL值較低的內(nèi)存。目前各內(nèi)存顆粒廠商除了從提高內(nèi)存時(shí)鐘頻率來提高DDR的性能之外，已經(jīng)考慮通過更進(jìn)一步的降低CAS延遲時(shí)間來提高內(nèi)存性能。不同類型內(nèi)存的典型CL值并不相同，例如目前典型DDR的CL值為2.5或者2，而大部分DDR2 533的延遲參數(shù)都是4或者5，少量高端DDR2的CL值可以達(dá)到3。 不過，并不是說CL值越低性能就越好，因?yàn)槠渌囊蛩貢?huì)影響這個(gè)數(shù)據(jù)。例如，新一代處理器的高速緩存較有效率，這表示處理器比較少地直接從內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)。再者，列的數(shù)據(jù)會(huì)比較常被存取，所以RAS-to-CAS的發(fā)生幾率也大，讀取的時(shí)間也會(huì)增多。最后，有時(shí)會(huì)發(fā)生同時(shí)讀取大量數(shù)據(jù)的情形，在這種情形下，相鄰的內(nèi)存數(shù)據(jù)會(huì)一次被讀取出來，CAS延遲時(shí)間只會(huì)發(fā)生一次。 選擇購(gòu)買內(nèi)存時(shí)，最好選擇同樣CL設(shè)置的內(nèi)存，因?yàn)椴煌俣鹊膬?nèi)存混插在系統(tǒng)內(nèi)，系統(tǒng)會(huì)以較慢的速度來運(yùn)行，也就是當(dāng)CL2.5和CL2的內(nèi)存同時(shí)插在主機(jī)內(nèi)，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)讓兩條內(nèi)存都工作在CL2.5狀態(tài)，造成資源浪費(fèi)。 知道了嗎^_^？？？